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STMicroelectronics STB30NF20
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB30NF20 |
| EBEE-Teilenummer | E8221448 |
| Gehäuse | TO-263-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 30A 75mΩ@10V,15A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6359 | $ 2.6359 |
| 10+ | $2.3058 | $ 23.0580 |
| 30+ | $2.0999 | $ 62.9970 |
| 100+ | $1.8886 | $ 188.8600 |
| 500+ | $1.7929 | $ 896.4500 |
| 1000+ | $1.7520 | $ 1752.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB30NF20 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 200V | |
| Dauerdr. | 30A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 75mΩ@10V,15A | |
| Stromableitung (Pd) | 125W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.597nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 38nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6359 | $ 2.6359 |
| 10+ | $2.3058 | $ 23.0580 |
| 30+ | $2.0999 | $ 62.9970 |
| 100+ | $1.8886 | $ 188.8600 |
| 500+ | $1.7929 | $ 896.4500 |
| 1000+ | $1.7520 | $ 1752.0000 |
