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STMicroelectronics STB28NM60ND
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB28NM60ND |
| EBEE-Teilenummer | E87324745 |
| Gehäuse | D2PAK(TO-263) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 23A 190W 150mΩ@10V,11.5A 5V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $9.4261 | $ 9.4261 |
| 200+ | $3.7621 | $ 752.4200 |
| 500+ | $3.6362 | $ 1818.1000 |
| 1000+ | $3.5741 | $ 3574.1000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB28NM60ND | |
| RoHS | ||
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 23A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 150mΩ@10V,11.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 190W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.09nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 62.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $3.5741 | $ 3574.1000 |
