Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
STMicroelectronics STB28NM50N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB28NM50N |
| EBEE-Teilenummer | E82965242 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 21A 150W 0.135Ω@10V,10.5A 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>13 Auf Lager für schnelle Lieferung
13 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6659 | $ 4.6659 |
| 10+ | $4.5492 | $ 45.4920 |
| 30+ | $4.4704 | $ 134.1120 |
| 100+ | $4.3916 | $ 439.1600 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB28NM50N | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 158mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 21A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.735nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 122pF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
13 Stock for Shipping Fast
13 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6659 | $ 4.6659 |
| 10+ | $4.5492 | $ 45.4920 |
| 30+ | $4.4704 | $ 134.1120 |
| 100+ | $4.3916 | $ 439.1600 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
