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STMicroelectronics STB26N60M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB26N60M2 |
| EBEE-Teilenummer | E82971192 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 20A 169W 0.14Ω@10V,10A 2V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8895 | $ 3.8895 |
| 10+ | $3.8062 | $ 38.0620 |
| 30+ | $3.7512 | $ 112.5360 |
| 100+ | $3.3750 | $ 337.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB26N60M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 20A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.14Ω@10V,10A | |
| Stromableitung (Pd) | 169W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 124pF @ 0 to 480V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.36nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 60nC@480V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8895 | $ 3.8895 |
| 10+ | $3.8062 | $ 38.0620 |
| 30+ | $3.7512 | $ 112.5360 |
| 100+ | $3.3750 | $ 337.5000 |
