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STMicroelectronics STB24N60M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB24N60M2 |
| EBEE-Teilenummer | E82970333 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 18A 150W 0.19Ω@10V,9A 2V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.9250 | $ 5.9250 |
| 10+ | $5.7944 | $ 57.9440 |
| 30+ | $5.7079 | $ 171.2370 |
| 100+ | $5.6214 | $ 562.1400 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB24N60M2 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 18A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.19Ω@10V,9A | |
| Stromableitung (Pd) | 150W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2.2pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1060pF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 29nC@480V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $5.7944 | $ 57.9440 |
| 30+ | $5.7079 | $ 171.2370 |
| 100+ | $5.6214 | $ 562.1400 |
