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STMicroelectronics STB23N80K5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB23N80K5 |
| EBEE-Teilenummer | E8472539 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 16A 280mΩ@10V,8A 190W 4V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7716 | $ 4.7716 |
| 10+ | $4.6597 | $ 46.5970 |
| 30+ | $4.5838 | $ 137.5140 |
| 100+ | $4.5097 | $ 450.9700 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB23N80K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 16A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 280mΩ@10V,8A | |
| Stromableitung (Pd) | 190W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@100uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.5pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 33nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $4.5838 | $ 137.5140 |
| 100+ | $4.5097 | $ 450.9700 |
