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STMicroelectronics STB20N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB20N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E8495232 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 18A 0.16Ω@10V,9A 130W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9662 | $ 3.9662 |
| 200+ | $1.5347 | $ 306.9400 |
| 500+ | $1.4804 | $ 740.2000 |
| 1000+ | $1.4550 | $ 1455.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB20N65M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 18A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.16Ω@10V,9A | |
| Stromableitung (Pd) | 130W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3.7pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.434nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 36nC@520V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1+ | $3.9662 | $ 3.9662 |
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| 500+ | $1.4804 | $ 740.2000 |
| 1000+ | $1.4550 | $ 1455.0000 |
