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STMicroelectronics STB18NF25
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB18NF25 |
| EBEE-Teilenummer | E8155570 |
| Gehäuse | TO-263-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 250V 17A 110W 165mΩ@10V,8.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0875 | $ 2.0875 |
| 10+ | $1.8265 | $ 18.2650 |
| 30+ | $1.6632 | $ 49.8960 |
| 100+ | $1.4964 | $ 149.6400 |
| 500+ | $1.4200 | $ 710.0000 |
| 1000+ | $1.3881 | $ 1388.1000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB18NF25 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 250V | |
| Dauerdr. | 17A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 165mΩ@10V,8.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 110W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 29.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0875 | $ 2.0875 |
| 10+ | $1.8265 | $ 18.2650 |
| 30+ | $1.6632 | $ 49.8960 |
| 100+ | $1.4964 | $ 149.6400 |
| 500+ | $1.4200 | $ 710.0000 |
| 1000+ | $1.3881 | $ 1388.1000 |
