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STMicroelectronics STB18N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB18N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E82971036 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 710V 15A 0.22Ω@10V,7.5A 110W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7211 | $ 4.7211 |
| 200+ | $1.8274 | $ 365.4800 |
| 500+ | $1.7626 | $ 881.3000 |
| 1000+ | $1.7320 | $ 1732.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB18N65M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 710V | |
| Dauerdr. | 15A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.22Ω@10V,7.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 110W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3.2pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.24nF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 31nC |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $1.7626 | $ 881.3000 |
| 1000+ | $1.7320 | $ 1732.0000 |
