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STMicroelectronics STB18N60M6
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB18N60M6 |
| EBEE-Teilenummer | E83288190 |
| Gehäuse | D2PAK(TO-263) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 13A 110W 230mΩ@10V,6.5A 3.25V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0601 | $ 2.0601 |
| 200+ | $0.7986 | $ 159.7200 |
| 500+ | $0.7702 | $ 385.1000 |
| 1000+ | $0.7560 | $ 756.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB18N60M6 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 13A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 230mΩ@10V,6.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 110W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3.25V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 650pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 16.8nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $0.7560 | $ 756.0000 |
