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STMicroelectronics STB18N60DM2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB18N60DM2 |
| EBEE-Teilenummer | E82965480 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 12A 0.295Ω@10V,6A 110W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB18N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 295mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.33pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 800pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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