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STMicroelectronics STB180N55F3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB180N55F3 |
| EBEE-Teilenummer | E86829553 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 55V 120A 330W 3.5mΩ@10V,60A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $9.6106 | $ 9.6106 |
| 200+ | $3.8351 | $ 767.0200 |
| 500+ | $3.7074 | $ 1853.7000 |
| 1000+ | $3.6434 | $ 3643.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB180N55F3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 55V | |
| Dauerdr. | 120A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 3.5mΩ@10V,60A | |
| Stromableitung (Pd) | 330W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 6.8nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 100nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $3.7074 | $ 1853.7000 |
| 1000+ | $3.6434 | $ 3643.4000 |
