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STMicroelectronics STB15N65M5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB15N65M5 |
| EBEE-Teilenummer | E8500931 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 11A 308mΩ@10V,5.5A 85W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3000 | $ 0.3000 |
| 10+ | $0.2947 | $ 2.9470 |
| 30+ | $0.2893 | $ 8.6790 |
| 100+ | $0.2858 | $ 28.5800 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB15N65M5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 11A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 308mΩ@10V,5.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 85W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2.6pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 816pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | - |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.2893 | $ 8.6790 |
| 100+ | $0.2858 | $ 28.5800 |
