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STMicroelectronics STB13NM60N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB13NM60N |
| EBEE-Teilenummer | E8500930 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 11A 0.36Ω@10V,5.5A 90W 2V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5955 | $ 4.5955 |
| 10+ | $4.0328 | $ 40.3280 |
| 30+ | $3.6991 | $ 110.9730 |
| 100+ | $3.3601 | $ 336.0100 |
| 500+ | $3.1329 | $ 1566.4500 |
| 1000+ | $3.0619 | $ 3061.9000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB13NM60N | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 11A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.36Ω@10V,5.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 90W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3.6pF@50V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 790pF@50V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 27nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1+ | $4.5955 | $ 4.5955 |
| 10+ | $4.0328 | $ 40.3280 |
| 30+ | $3.6991 | $ 110.9730 |
| 100+ | $3.3601 | $ 336.0100 |
| 500+ | $3.1329 | $ 1566.4500 |
| 1000+ | $3.0619 | $ 3061.9000 |
