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STMicroelectronics STB13N80K5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB13N80K5 |
| EBEE-Teilenummer | E8500929 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 12A 370mΩ@10V,6A 190W 4V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.9572 | $ 2.9572 |
| 10+ | $2.5241 | $ 25.2410 |
| 30+ | $2.2668 | $ 68.0040 |
| 100+ | $2.0058 | $ 200.5800 |
| 500+ | $1.8869 | $ 943.4500 |
| 1000+ | $1.8318 | $ 1831.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB13N80K5 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 800V | |
| Dauerdr. | 12A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 370mΩ@10V,6A | |
| Stromableitung (Pd) | 190W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@100uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2pF@100V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 870pF@100V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | - |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $2.5241 | $ 25.2410 |
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| 100+ | $2.0058 | $ 200.5800 |
| 500+ | $1.8869 | $ 943.4500 |
| 1000+ | $1.8318 | $ 1831.8000 |
