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STMicroelectronics STB13N60M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB13N60M2 |
| EBEE-Teilenummer | E8165926 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 11A 110W 0.38Ω@10V,5.5A 2V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $1.7422 | $ 17.4220 |
| 30+ | $1.5569 | $ 46.7070 |
| 100+ | $1.3668 | $ 136.6800 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB13N60M2 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 380mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 580pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 32pF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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