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STMicroelectronics STB120N4F6
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB120N4F6 |
| EBEE-Teilenummer | E82970287 |
| Gehäuse | D2PAK |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 80A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9475 | $ 3.9475 |
| 200+ | $1.5280 | $ 305.6000 |
| 500+ | $1.4751 | $ 737.5500 |
| 1000+ | $1.4477 | $ 1447.7000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST STB120N4F6 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Konfiguration | - | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 40V | |
| Dauerdr. | 80A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | - | |
| Stromableitung (Pd) | - | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 350pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3.85nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 65nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $1.4477 | $ 1447.7000 |
