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STMicroelectronics SH32N65DM6AG
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SH32N65DM6AG |
| EBEE-Teilenummer | E85268689 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 32A 208W 89mΩ@10V,23A 3.25V@250uA MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $52.5171 | $ 52.5171 |
| 200+ | $20.3235 | $ 4064.7000 |
| 500+ | $19.6097 | $ 9804.8500 |
| 1000+ | $19.2574 | $ 19257.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Datenblatt | ST SH32N65DM6AG | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Konfiguration | Half Bridge | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 32A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 89mΩ@10V,23A | |
| Stromableitung (Pd) | 208W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3.25V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 0.3pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2211pF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 47nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $19.6097 | $ 9804.8500 |
| 1000+ | $19.2574 | $ 19257.4000 |
