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STMicroelectronics IRF630
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRF630 |
| EBEE-Teilenummer | E8129801 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 9A 75W 400mΩ@10V,4.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.6516 | $ 6.5160 |
| 50+ | $0.5774 | $ 28.8700 |
| 100+ | $0.5065 | $ 50.6500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | ST IRF630 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 400mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -65℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 50pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 700pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 45nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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