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SINEDEVICE SDM017G10DB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SDM017G10DB |
| EBEE-Teilenummer | E829780690 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 40A 21W 14mΩ@10V,10A 1.9V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.3335 | $ 3.3350 |
| 30+ | $0.2942 | $ 8.8260 |
| 100+ | $0.2460 | $ 24.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | SINEDEVICE SDM017G10DB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 17mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 769pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 171pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.7nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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