10% off
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
Samwin SW4N65
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SW4N65 |
| EBEE-Teilenummer | E8381525 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 4A 2.6Ω@10V,2A 23W 4.5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>25 Auf Lager für schnelle Lieferung
25 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2922 | $ 1.4610 |
| 50+ | $0.2294 | $ 11.4700 |
| 150+ | $0.2026 | $ 30.3900 |
| 500+ | $0.1690 | $ 84.5000 |
| 2000+ | $0.1541 | $ 308.2000 |
| 5000+ | $0.1451 | $ 725.5000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | Samwin SW4N65 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 2.6Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 23W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 758pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 69pF | |
| Gate Charge(Qg) | 18nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
25 Stock for Shipping Fast
25 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2922 | $ 1.4610 |
| 50+ | $0.2294 | $ 11.4700 |
| 150+ | $0.2026 | $ 30.3900 |
| 500+ | $0.1690 | $ 84.5000 |
| 2000+ | $0.1541 | $ 308.2000 |
| 5000+ | $0.1451 | $ 725.5000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
