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Samwin SW15P02
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SW15P02 |
| EBEE-Teilenummer | E8381514 |
| Gehäuse | DFN-8-EP(3x3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | 20V 15A 69.4W 8.1mΩ 800mV@250uA 1 Piece P-Channel DFN-8-EP(3x3) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1904 | $ 0.1904 |
| 10+ | $0.1531 | $ 1.5310 |
| 30+ | $0.1372 | $ 4.1160 |
| 100+ | $0.1172 | $ 11.7200 |
| 500+ | $0.1084 | $ 54.2000 |
| 1000+ | $0.1030 | $ 103.0000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | Samwin SW15P02 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 12mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 334pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 69.4W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 800mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.41nF | |
| Gate Charge(Qg) | 91nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $0.1531 | $ 1.5310 |
| 30+ | $0.1372 | $ 4.1160 |
| 100+ | $0.1172 | $ 11.7200 |
| 500+ | $0.1084 | $ 54.2000 |
| 1000+ | $0.1030 | $ 103.0000 |
