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RENESAS 2SK1968-E
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2SK1968-E |
| EBEE-Teilenummer | E83282853 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 12A 100W 680mΩ@10V,6A 2V@1mA MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $17.0505 | $ 17.0505 |
| 200+ | $6.5992 | $ 1319.8400 |
| 500+ | $6.3666 | $ 3183.3000 |
| 1000+ | $6.2531 | $ 6253.1000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | RENESAS 2SK1968-E | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 12A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 680mΩ@10V,6A | |
| Stromableitung (Pd) | 100W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2V@1mA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 60pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.8nF@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $6.3666 | $ 3183.3000 |
| 1000+ | $6.2531 | $ 6253.1000 |
