| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTE4153NT1G |
| EBEE-Teilenummer | E879836 |
| Gehäuse | SC-89 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 915mA 300mW 0.127Ω@4.5V 450mV@250uA 1 N-channel SC-89 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.4346 | $ 2.1730 |
| 50+ | $0.3593 | $ 17.9650 |
| 150+ | $0.3269 | $ 49.0350 |
| 500+ | $0.2554 | $ 127.7000 |
| 3000+ | $0.2375 | $ 712.5000 |
| 6000+ | $0.2267 | $ 1360.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi NTE4153NT1G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 915mA | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.127Ω@4.5V | |
| Stromableitung (Pd) | 300mW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 450mV@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 12pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 110pF | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 1.82nC |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.4346 | $ 2.1730 |
| 50+ | $0.3593 | $ 17.9650 |
| 150+ | $0.3269 | $ 49.0350 |
| 500+ | $0.2554 | $ 127.7000 |
| 3000+ | $0.2375 | $ 712.5000 |
| 6000+ | $0.2267 | $ 1360.2000 |
