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onsemi FDMS86101A
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDMS86101A |
| EBEE-Teilenummer | E8605041 |
| Gehäuse | Power56-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 60A 8mΩ@10V,13A 104W 2V@250uA 1 N-channel PQFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8413 | $ 2.8413 |
| 10+ | $2.3588 | $ 23.5880 |
| 30+ | $2.0730 | $ 62.1900 |
| 100+ | $1.7841 | $ 178.4100 |
| 500+ | $1.6504 | $ 825.2000 |
| 1000+ | $1.5905 | $ 1590.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi FDMS86101A | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 8mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.12nF | |
| Gate Charge(Qg) | 58nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $1.6504 | $ 825.2000 |
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