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onsemi FDMS8570SDC
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDMS8570SDC |
| EBEE-Teilenummer | E83279580 |
| Gehäuse | PowerTDFN-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 25V 60A 59W 2.8mΩ@10V,28A 1.1V@1mA 1 N-channel PowerTDFN-8 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7408 | $ 1.7408 |
| 200+ | $0.6744 | $ 134.8800 |
| 500+ | $0.6495 | $ 324.7500 |
| 1000+ | $0.6388 | $ 638.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi FDMS8570SDC | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 25V | |
| Dauerdr. | 60A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 2.8mΩ@10V,28A | |
| Stromableitung (Pd) | 59W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.1V@1mA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 94pF@13V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.825nF@13V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 42nC |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.6495 | $ 324.7500 |
| 1000+ | $0.6388 | $ 638.8000 |
