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onsemi FDMS7672
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDMS7672 |
| EBEE-Teilenummer | E8463468 |
| Gehäuse | PQFN-8(5x6) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 5mΩ@10V,19A 3V@250uA 1 N-channel PQFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8855 | $ 0.8855 |
| 10+ | $0.7197 | $ 7.1970 |
| 30+ | $0.6369 | $ 19.1070 |
| 100+ | $0.5540 | $ 55.4000 |
| 500+ | $0.4451 | $ 222.5500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi FDMS7672 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 5mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W;48W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 19A;28A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.96nF | |
| Gate Charge(Qg) | 44nC@10V |
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