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onsemi FDMS7670AS
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDMS7670AS |
| EBEE-Teilenummer | E8463719 |
| Gehäuse | Power-56-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 42A 65W 3.2mΩ@7V,19A 1.2V@1mA 1 N-channel Power-56-8 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1709 | $ 2.1709 |
| 10+ | $2.1229 | $ 21.2290 |
| 30+ | $2.0910 | $ 62.7300 |
| 100+ | $2.0591 | $ 205.9100 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi FDMS7670AS | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 42A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 3.2mΩ@7V,19A | |
| Stromableitung (Pd) | 65W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.2V@1mA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 165pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 4.225nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 66nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $2.1229 | $ 21.2290 |
| 30+ | $2.0910 | $ 62.7300 |
| 100+ | $2.0591 | $ 205.9100 |
