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onsemi FDMS5672
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDMS5672 |
| EBEE-Teilenummer | E8891061 |
| Gehäuse | Power-56-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 10.6A 2.5W 11.5mΩ@10V,10.6A 2V@250uA Power-56-8 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6198 | $ 3.6198 |
| 10+ | $3.1216 | $ 31.2160 |
| 30+ | $2.8258 | $ 84.7740 |
| 100+ | $2.5268 | $ 252.6800 |
| 500+ | $2.3898 | $ 1194.9000 |
| 1000+ | $2.3276 | $ 2327.6000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi FDMS5672 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 11.5mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 180pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.8nF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $3.1216 | $ 31.2160 |
| 30+ | $2.8258 | $ 84.7740 |
| 100+ | $2.5268 | $ 252.6800 |
| 500+ | $2.3898 | $ 1194.9000 |
| 1000+ | $2.3276 | $ 2327.6000 |
