| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDMD8680 |
| EBEE-Teilenummer | E8890989 |
| Gehäuse | PDFN-8(5x6) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80V 66A 4.7mΩ@10V,16A 39W 4V@250uA 2 N-Channel PDFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8412 | $ 3.8412 |
| 10+ | $3.7406 | $ 37.4060 |
| 30+ | $3.6724 | $ 110.1720 |
| 100+ | $3.6059 | $ 360.5900 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi FDMD8680 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 2 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 80V | |
| Dauerdr. | 66A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 4.7mΩ@10V,16A | |
| Stromableitung (Pd) | 39W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 77pF@40V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 5330pF@40V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8412 | $ 3.8412 |
| 10+ | $3.7406 | $ 37.4060 |
| 30+ | $3.6724 | $ 110.1720 |
| 100+ | $3.6059 | $ 360.5900 |
