Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
onsemi FDMD8630
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDMD8630 |
| EBEE-Teilenummer | E8890988 |
| Gehäuse | PQFN-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 1mΩ@10V,38A 3V@250uA 2 N-Channel PQFN-8 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.8700 | $ 4.8700 |
| 200+ | $1.8853 | $ 377.0600 |
| 500+ | $1.8196 | $ 909.8000 |
| 1000+ | $1.7869 | $ 1786.9000 |
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi FDMD8630 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 2 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 38A;167A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 1mΩ@10V,38A | |
| Stromableitung (Pd) | 2.3W;43W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 9.93nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 142nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.8700 | $ 4.8700 |
| 200+ | $1.8853 | $ 377.0600 |
| 500+ | $1.8196 | $ 909.8000 |
| 1000+ | $1.7869 | $ 1786.9000 |
