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onsemi FDMC8882
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDMC8882 |
| EBEE-Teilenummer | E8890975 |
| Gehäuse | WDFN-8(3.3x3.3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 14.3mΩ@10V,10.5A 2.5V@250uA 1 N-channel WDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.9262 | $ 9.2620 |
| 30+ | $0.8233 | $ 24.6990 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi FDMC8882 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 14.3mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.3W;18W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10.5A;16A | |
| Ciss-Input Capacitance | 945pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
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