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onsemi FDMC86183
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDMC86183 |
| EBEE-Teilenummer | E8890965 |
| Gehäuse | PQFN-8(3.3x3.3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 47A 52W 12.8mΩ@10V,16A 4V@90uA 1 N-channel PQFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1037 | $ 1.1037 |
| 10+ | $1.0806 | $ 10.8060 |
| 30+ | $1.0637 | $ 31.9110 |
| 100+ | $1.0483 | $ 104.8300 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi FDMC86183 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 12.8mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 47A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.515nF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1037 | $ 1.1037 |
| 10+ | $1.0806 | $ 10.8060 |
| 30+ | $1.0637 | $ 31.9110 |
| 100+ | $1.0483 | $ 104.8300 |
