Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
onsemi FDMC86160
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDMC86160 |
| EBEE-Teilenummer | E8605029 |
| Gehäuse | Power-33 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 43A 14mΩ@10V,9A 54W 2.9V@250uA 1 N-channel Power-33 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>17 Auf Lager für schnelle Lieferung
17 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5374 | $ 2.5374 |
| 10+ | $2.1688 | $ 21.6880 |
| 30+ | $1.9373 | $ 58.1190 |
| 100+ | $1.7011 | $ 170.1100 |
| 500+ | $1.5940 | $ 797.0000 |
| 1000+ | $1.5483 | $ 1548.3000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi FDMC86160 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 14mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 20pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 54W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 43A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.29nF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
17 Stock for Shipping Fast
17 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5374 | $ 2.5374 |
| 10+ | $2.1688 | $ 21.6880 |
| 30+ | $1.9373 | $ 58.1190 |
| 100+ | $1.7011 | $ 170.1100 |
| 500+ | $1.5940 | $ 797.0000 |
| 1000+ | $1.5483 | $ 1548.3000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
