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onsemi EFC4C002NLTDG
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | EFC4C002NLTDG |
| EBEE-Teilenummer | E8895362 |
| Gehäuse | WLCSP-8(2.5x6) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 30A 2.6mΩ@10V,30A 2.6W 1.3V@1mA 2 N-Channel WLCSP-8(2.5x6) MOSFETs ROHS |
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| 100+ | $0.8731 | $ 87.3100 |
| 500+ | $0.8255 | $ 412.7500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | onsemi EFC4C002NLTDG | |
| RoHS | ||
| Konfiguration | Common Drain | |
| RDS(on) | 2.6mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.6W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.2pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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