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NTE ELECTRONICS, INC. NTE2932
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTE2932 |
| EBEE-Teilenummer | E86135007 |
| Gehäuse | TO-3PML |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 21.3A 90W 85mΩ@10V,10.65A 4V@250uA 1 N-channel TO-3PML MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $20.0277 | $ 20.0277 |
| 200+ | $7.9916 | $ 1598.3200 |
| 500+ | $7.7250 | $ 3862.5000 |
| 1000+ | $7.5925 | $ 7592.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | NTE Electronics NTE2932 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 200V | |
| Dauerdr. | 21.3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 85mΩ@10V,10.65A | |
| Stromableitung (Pd) | 90W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 230pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 123nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1+ | $20.0277 | $ 20.0277 |
| 200+ | $7.9916 | $ 1598.3200 |
| 500+ | $7.7250 | $ 3862.5000 |
| 1000+ | $7.5925 | $ 7592.5000 |
