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NTE ELECTRONICS, INC. NTE2386
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTE2386 |
| EBEE-Teilenummer | E817627111 |
| Gehäuse | TO-3 |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 6.2A 1.2Ω@10V,3.4A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $220.9653 | $ 220.9653 |
| 200+ | $88.1667 | $ 17633.3400 |
| 500+ | $85.2212 | $ 42610.6000 |
| 1000+ | $83.7650 | $ 83765.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 600V | |
| Dauerdr. | 6.2A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,3.4A | |
| Stromableitung (Pd) | 125W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.3nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 80nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $85.2212 | $ 42610.6000 |
| 1000+ | $83.7650 | $ 83765.0000 |
