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NTE ELECTRONICS, INC. NTE2385
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTE2385 |
| EBEE-Teilenummer | E85816578 |
| Gehäuse | TO-220 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 8A 125W 850mΩ@10V,4.8A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $18.1404 | $ 18.1404 |
| 200+ | $7.2388 | $ 1447.7600 |
| 500+ | $6.9966 | $ 3498.3000 |
| 1000+ | $6.8780 | $ 6878.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | NTE Electronics NTE2385 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 500V | |
| Dauerdr. | 8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 850mΩ@10V,4.8A | |
| Stromableitung (Pd) | 125W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 120pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.3nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 63nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $18.1404 | $ 18.1404 |
| 200+ | $7.2388 | $ 1447.7600 |
| 500+ | $6.9966 | $ 3498.3000 |
| 1000+ | $6.8780 | $ 6878.0000 |
