| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MD9N90 |
| EBEE-Teilenummer | E86719396 |
| Gehäuse | TO-3P |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 900V 9A 350W 970mΩ@10V,4.5A 3V@250uA 1 N-channel TO-3P MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8008 | $ 0.8008 |
| 10+ | $0.6299 | $ 6.2990 |
| 30+ | $0.5444 | $ 16.3320 |
| 90+ | $0.4590 | $ 41.3100 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | Minos MD9N90 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 970mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 23pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.53nF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8008 | $ 0.8008 |
| 10+ | $0.6299 | $ 6.2990 |
| 30+ | $0.5444 | $ 16.3320 |
| 90+ | $0.4590 | $ 41.3100 |
