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Microchip Tech APTM50H14FT3G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM50H14FT3G |
| EBEE-Teilenummer | E85948976 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 26A 168mΩ@10V,13A 208W 5V@1mA 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $216.6269 | $ 216.6269 |
| 200+ | $86.4361 | $ 17287.2200 |
| 500+ | $83.5487 | $ 41774.3500 |
| 1000+ | $82.1215 | $ 82121.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Datenblatt | MICROCHIP APTM50H14FT3G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 4 N-channel | |
| Konfiguration | Half Bridge | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 500V | |
| Dauerdr. | 26A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 168mΩ@10V,13A | |
| Stromableitung (Pd) | 208W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@1mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3.259nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 72nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $83.5487 | $ 41774.3500 |
| 1000+ | $82.1215 | $ 82121.5000 |
