| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM50H10FT3G |
| EBEE-Teilenummer | E817536902 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 37A 120mΩ@10V,18.5A 312W 5V@1mA 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $272.8208 | $ 272.8208 |
| 200+ | $108.8584 | $ 21771.6800 |
| 500+ | $105.2196 | $ 52609.8000 |
| 1000+ | $103.4238 | $ 103423.8000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 4 N-channel | |
| Konfiguration | Half Bridge | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 500V | |
| Dauerdr. | 37A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 120mΩ@10V,18.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 312W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@1mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 4.367nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 96nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $272.8208 | $ 272.8208 |
| 200+ | $108.8584 | $ 21771.6800 |
| 500+ | $105.2196 | $ 52609.8000 |
| 1000+ | $103.4238 | $ 103423.8000 |
