| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM50DDAM65T3G |
| EBEE-Teilenummer | E817687994 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 51A 78mΩ@10V,25.5A 390W [email protected] 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $339.2802 | $ 339.2802 |
| 200+ | $135.3749 | $ 27074.9800 |
| 500+ | $130.8513 | $ 65425.6500 |
| 1000+ | $128.6165 | $ 128616.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 2 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 500V | |
| Dauerdr. | 51A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 78mΩ@10V,25.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 390W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | [email protected] | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 7nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 140nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $339.2802 | $ 339.2802 |
| 200+ | $135.3749 | $ 27074.9800 |
| 500+ | $130.8513 | $ 65425.6500 |
| 1000+ | $128.6165 | $ 128616.5000 |
