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Microchip Tech APTM50DAM19G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM50DAM19G |
| EBEE-Teilenummer | E85948975 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 163A 1.136kW 22.5mΩ@10V,81.5A 3V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $641.4344 | $ 641.4344 |
| 200+ | $255.9363 | $ 51187.2600 |
| 500+ | $247.3855 | $ 123692.7500 |
| 1000+ | $243.1597 | $ 243159.7000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APTM50DAM19G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 500V | |
| Dauerdr. | 163A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 22.5mΩ@10V,81.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.136kW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@10mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 22.4nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 492nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 200+ | $255.9363 | $ 51187.2600 |
| 500+ | $247.3855 | $ 123692.7500 |
| 1000+ | $243.1597 | $ 243159.7000 |
