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Microchip Tech APTM50DAM17G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM50DAM17G |
| EBEE-Teilenummer | E85589030 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 500V 180A 1.25kW 20mΩ@10V,90A 3V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $735.3949 | $ 735.3949 |
| 200+ | $293.4283 | $ 58685.6600 |
| 500+ | $283.6227 | $ 141811.3500 |
| 1000+ | $278.7782 | $ 278778.2000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APTM50DAM17G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 500V | |
| Dauerdr. | 180A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 20mΩ@10V,90A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.25kW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@10mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 28nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 560nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $283.6227 | $ 141811.3500 |
| 1000+ | $278.7782 | $ 278778.2000 |
