| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM20HM20STG |
| EBEE-Teilenummer | E817531461 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 89A 24mΩ@10V,44.5A 357W [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $370.3657 | $ 370.3657 |
| 200+ | $147.7788 | $ 29555.7600 |
| 500+ | $142.8406 | $ 71420.3000 |
| 1000+ | $140.4002 | $ 140400.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 4 N-channel | |
| Konfiguration | Half Bridge | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 200V | |
| Dauerdr. | 89A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 24mΩ@10V,44.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 357W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | [email protected] | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 6.85nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 112nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $370.3657 | $ 370.3657 |
| 200+ | $147.7788 | $ 29555.7600 |
| 500+ | $142.8406 | $ 71420.3000 |
| 1000+ | $140.4002 | $ 140400.2000 |
