| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM20DUM05G |
| EBEE-Teilenummer | E85569628 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 317A 1.136kW 6mΩ@10V,158.5A 3V@10mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $843.0783 | $ 843.0783 |
| 200+ | $336.3935 | $ 67278.7000 |
| 500+ | $325.1539 | $ 162576.9500 |
| 1000+ | $319.5985 | $ 319598.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Datenblatt | MICROCHIP APTM20DUM05G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 2 N-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 200V | |
| Dauerdr. | 317A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 6mΩ@10V,158.5A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.136kW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@10mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 27.4nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 448nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $843.0783 | $ 843.0783 |
| 200+ | $336.3935 | $ 67278.7000 |
| 500+ | $325.1539 | $ 162576.9500 |
| 1000+ | $319.5985 | $ 319598.5000 |
