| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM20DAM08TG |
| EBEE-Teilenummer | E85948973 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 208A 10mΩ@10V,104A 781W 5V@5mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $283.4728 | $ 283.4728 |
| 200+ | $113.1083 | $ 22621.6600 |
| 500+ | $109.3285 | $ 54664.2500 |
| 1000+ | $107.4605 | $ 107460.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APTM20DAM08TG | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 200V | |
| Dauerdr. | 208A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 10mΩ@10V,104A | |
| Stromableitung (Pd) | 781W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 5V@5mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 14.4nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 280nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $283.4728 | $ 283.4728 |
| 200+ | $113.1083 | $ 22621.6600 |
| 500+ | $109.3285 | $ 54664.2500 |
| 1000+ | $107.4605 | $ 107460.5000 |
