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Microchip Tech APTM120DA30CT1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM120DA30CT1G |
| EBEE-Teilenummer | E86124824 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.2kV 31A 360mΩ@10V,25A 657W [email protected] 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $264.2137 | $ 264.2137 |
| 200+ | $105.4234 | $ 21084.6800 |
| 500+ | $101.8999 | $ 50949.9500 |
| 1000+ | $100.1607 | $ 100160.7000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APTM120DA30CT1G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 1.2kV | |
| Dauerdr. | 31A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 360mΩ@10V,25A | |
| Stromableitung (Pd) | 657W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | [email protected] | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 14.56nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 560nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 500+ | $101.8999 | $ 50949.9500 |
| 1000+ | $100.1607 | $ 100160.7000 |
