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Microchip Tech APTM10UM02FAG
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM10UM02FAG |
| EBEE-Teilenummer | E85554285 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 570A 2.5mΩ@10V,200A 1.66kW 4V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $967.2259 | $ 967.2259 |
| 200+ | $385.9302 | $ 77186.0400 |
| 500+ | $373.0333 | $ 186516.6500 |
| 1000+ | $366.6624 | $ 366662.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APTM10UM02FAG | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 570A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 2.5mΩ@10V,200A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.66kW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@10mA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 40nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 1.36uC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $373.0333 | $ 186516.6500 |
| 1000+ | $366.6624 | $ 366662.4000 |
