| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | APTM10SKM02G |
| EBEE-Teilenummer | E87077517 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 495A 2.5mΩ@10V,200A 1.25kW 4V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $748.9847 | $ 748.9847 |
| 200+ | $298.8508 | $ 59770.1600 |
| 500+ | $288.8633 | $ 144431.6500 |
| 1000+ | $283.9297 | $ 283929.7000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | MICROCHIP APTM10SKM02G | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 495A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 2.5mΩ@10V,200A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.25kW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@10mA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.9pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 40nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 1.36uC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $748.9847 | $ 748.9847 |
| 200+ | $298.8508 | $ 59770.1600 |
| 500+ | $288.8633 | $ 144431.6500 |
| 1000+ | $283.9297 | $ 283929.7000 |
